MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040W65G3-4, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora de 4 pines

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Código RS:
366-221
Nº ref. fabric.:
SCT040W65G3-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Frecuencia de Funcionamiento

1 MHz

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Potencia de salida

240W

Serie

SCT

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

20.1mm

Altura

5.1mm

Anchura

15.9 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo de alimentación MOSFET en carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo presenta una RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas, combinada con capacitancias bajas y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en cuanto a frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy elevada

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

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