MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 103-2007
Nº ref. fabric.:: STP110N10F7
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

905 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 50)

1,949 €

(exc. IVA)

2,358 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	1,949 €	97,45 €
100 - 200	1,755 €	87,75 €
250 +	1,711 €	85,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 103-2007
Nº ref. fabric.:: STP110N10F7
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	STripFET H7
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	72 nC a 10 V
Ancho	4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	15.75mm