MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 360 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
103-8114
Nº ref. fabric.:
2N7002P,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

360mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

2N7002P

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.6Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

420mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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