MOSFET, N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 360 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
103-8114
Nº ref. fabric.:
2N7002P,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

360mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

2N7002P

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.6Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

420mW

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Anchura

1.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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