MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 100 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
146-0466
Nº ref. fabric.:
PMV213SN,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-23

Serie

PMV213SN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Longitud

3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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