MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
124-2287
Nº ref. fabric.:
BSH108,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

BSH108

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

830mW

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Anchura

1.4 mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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