MOSFET, N-Canal Nexperia, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
103-8123
Nº ref. fabric.:
PSMN3R5-80PS,127
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

338W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

139nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7mm

Altura

16mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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