MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
103-8123
Nº ref. fabric.:
PSMN3R5-80PS,127
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

338W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

139nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.3mm

Anchura

4.7mm

Altura

16mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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