MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
103-8125
Nº ref. fabric.:
PSMN4R4-80PS,127
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

306W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

125nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

16mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7 mm

Longitud

10.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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