MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW48N60DM2, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 111-6484
- Nº ref. fabric.:
- STW48N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 111-6484
- Nº ref. fabric.:
- STW48N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 79mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 79mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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