MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Código RS:
121-6310
Nº ref. fabric.:
NTTFS5116PLTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

WDFN

Serie

NTTFS5116PL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

72mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.15mm

Anchura

3.15 mm

Altura

0.75mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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