MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 22 A, Mejora, WDFN de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Código RS:
124-1442
Nº ref. fabric.:
FDMS86263P
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

WDFN

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

94mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.85 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.

Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Enlaces relacionados