MOSFET onsemi FDMS86252L, VDSS 150 V, ID 12 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-2095
Nº ref. fabric.:: FDMS86252L
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDMS86252L, VDSS 150 V, ID 12 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

2110 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,822 €

(exc. IVA)

0,995 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,822 €	2.466,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-2095
Nº ref. fabric.:: FDMS86252L
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	110 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	50 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	5.85mm
Material del transistor	Si
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 10 V
Altura	1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C