MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMS86200DC, VDSS 150 V, ID 40 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 864-8449
- Nº ref. fabric.:
- FDMS86200DC
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
22,25 €
(exc. IVA)
26,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de agosto de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 4,45 € | 22,25 € |
| 50 - 95 | 3,836 € | 19,18 € |
| 100 + | 3,326 € | 16,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 864-8449
- Nº ref. fabric.:
- FDMS86200DC
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Anchura | 5.85mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 5.1mm | ||
Anchura 5.85mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, WDFN de 8 pines