MOSFET onsemi FDMS86200DC, VDSS 150 V, ID 40 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 864-8449
- Nº ref. fabric.:
- FDMS86200DC
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 864-8449
- Nº ref. fabric.:
- FDMS86200DC
- Fabricante:
- onsemi
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
---|---|---|
Marca | onsemi | |
Tipo de Canal | N | |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 40 A | |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V | |
Serie | PowerTrench | |
Tipo de Encapsulado | PQFN8 | |
Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
Conteo de Pines | 8 | |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 35 mΩ | |
Modo de Canal | Mejora | |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
Disipación de Potencia Máxima | 125 W | |
Configuración de transistor | Simple | |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
Ancho | 5.85mm | |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 30 nC a 10 V | |
Material del transistor | Si | |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
Número de Elementos por Chip | 1 | |
Longitud | 5.1mm | |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
Altura | 1mm | |
Seleccionar todo | ||
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Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 40 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 150 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de Encapsulado PQFN8 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 35 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 125 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Ancho 5.85mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 30 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 5.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 1mm | ||
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