MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 124-1745
Nº ref. fabric.:: BS170
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, config. Simple

7000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En una bolsa de 1000)

0,111 €

(exc. IVA)

0,134 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Bolsa*
1000 - 2000	0,111 €	111,00 €
3000 +	0,09 €	90,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 124-1745
Nº ref. fabric.:: BS170
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TO-92
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	830 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.19mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	5.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	5.33mm