MOSFET, Tipo N-Canal onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
671-4736
Nº ref. fabric.:
BS170
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

500mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

BS170

Encapsulado

TO-92

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

830mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.33mm

Anchura

4.19 mm

Longitud

5.2mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Distrelec Product Id

304-43-724

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


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