MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 124-8963
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4110PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
49,15 €
(exc. IVA)
59,45 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2050 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,983 € | 49,15 € |
| 100 - 200 | 0,904 € | 45,20 € |
| 250 + | 0,855 € | 42,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-8963
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4110PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 370W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 370W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.66mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 370 W - IRFB4110PBF
Este MOSFET es un transistor de potencia eficiente diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. Su robusta construcción y sus precisas especificaciones ofrecen una solución versátil para aplicaciones en las que la eficacia y la fiabilidad son esenciales. Con un diseño de modo de mejora y una configuración de canal N, es adecuado para operaciones de conmutación de alta velocidad.
Características y ventajas
• La corriente de drenaje continua máxima de 180 A admite un alto rendimiento
• El rango de tensión de drenaje a fuente de 100 V permite una gran variedad de aplicaciones
• El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia
• La capacidad de disipación de potencia de hasta 370 W garantiza la estabilidad
• Las características térmicas mejoradas fomentan la fiabilidad en condiciones extremas
• La caracterización completa de la resistencia a la avalancha y la dinámica dv/dt favorece la durabilidad
Aplicaciones
• Rectificación síncrona de alta eficiencia para fuentes de alimentación
• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida
• Ideal para circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad
• Aplicable en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia
¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento adecuado para un rendimiento óptimo?
Funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que garantiza su funcionalidad en diversos entornos.
¿Cómo minimiza el MOSFET la pérdida de energía en los circuitos?
El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, lo que permite un funcionamiento eficiente en electrónica de potencia.
¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?
Sí, su diseño facilita la conmutación a alta velocidad, lo que la hace adecuada para aplicaciones que requieren transiciones rápidas de encendido a apagado.
¿Cuáles son los valores de resistencia térmica para un montaje correcto?
La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,402 °C/W, mientras que la resistencia de la carcasa al disipador es de 0,50 °C/W, lo que permite una disipación eficaz del calor.
¿Qué características de avalancha deben tenerse en cuenta durante el uso?
Admite valores nominales de energía de avalancha de un solo impulso, lo que proporciona protección contra picos de tensión transitorios y garantiza la fiabilidad en el diseño de circuitos.