MOSFET Infineon IRFB4110PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 124-8963
Nº ref. fabric.:: IRFB4110PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFB4110PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Precio unitario (En un Tubo de 50)**

2,506 €

(exc. IVA)

3,032 €

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo**
50 - 50	2,506 €	125,30 €
100 - 200	2,305 €	115,25 €
250 +	2,18 €	109,00 €

**precio indicativo

Código RS:: 124-8963
Nº ref. fabric.:: IRFB4110PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 370 W - IRFB4110PBF

Este MOSFET es un transistor de potencia eficiente diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. Su robusta construcción y sus precisas especificaciones ofrecen una solución versátil para aplicaciones en las que la eficacia y la fiabilidad son esenciales. Con un diseño de modo de mejora y una configuración de canal N, es adecuado para operaciones de conmutación de alta velocidad.

Características y ventajas

• La corriente de drenaje continua máxima de 180 A admite un alto rendimiento
• El rango de tensión de drenaje a fuente de 100 V permite una gran variedad de aplicaciones
• El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia
• La capacidad de disipación de potencia de hasta 370 W garantiza la estabilidad
• Las características térmicas mejoradas fomentan la fiabilidad en condiciones extremas
• La caracterización completa de la resistencia a la avalancha y la dinámica dv/dt favorece la durabilidad

Aplicaciones

• Rectificación síncrona de alta eficiencia para fuentes de alimentación
• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida
• Ideal para circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad
• Aplicable en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento adecuado para un rendimiento óptimo?

Funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que garantiza su funcionalidad en diversos entornos.

¿Cómo minimiza el MOSFET la pérdida de energía en los circuitos?

El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, lo que permite un funcionamiento eficiente en electrónica de potencia.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?

Sí, su diseño facilita la conmutación a alta velocidad, lo que la hace adecuada para aplicaciones que requieren transiciones rápidas de encendido a apagado.

¿Cuáles son los valores de resistencia térmica para un montaje correcto?

La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,402 °C/W, mientras que la resistencia de la carcasa al disipador es de 0,50 °C/W, lo que permite una disipación eficaz del calor.

¿Qué características de avalancha deben tenerse en cuenta durante el uso?

Admite valores nominales de energía de avalancha de un solo impulso, lo que proporciona protección contra picos de tensión transitorios y garantiza la fiabilidad en el diseño de circuitos.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	370 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.66mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	150 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	4.82mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.02mm