MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF540ZPBF, VDSS 100 V, ID 36 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
124-9001
Nº ref. fabric.:
IRF540ZPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

36A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

92W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

8.77mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.69 mm

Longitud

10.54mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 36 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V - IRF540ZPBF


Este MOSFET está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Capaz de manejar una corriente de drenaje continua máxima de 36 A y una tensión de drenaje-fuente de 100 V, su encapsulado TO-220AB garantiza una disipación del calor y una estabilidad eficaces. Con una disipación de potencia máxima de 92 W, este dispositivo de canal N es especialmente adecuado para tareas exigentes en las industrias eléctrica y mecánica.

Características y ventajas


• Utiliza la tecnología HEXFET para mejorar la eficiencia

• La baja Rds(on) de 26,5mΩ minimiza la pérdida de potencia

• Las rápidas velocidades de conmutación mejoran la eficacia operativa

• Admite el modo de mejora para un rendimiento fiable

• Diseñado para soportar condiciones de avalancha repetitivas

Aplicaciones


• Se utiliza para el control del motor y la gestión de la energía

• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas y convertidores

• Adecuado para automóviles que requieren alta eficiencia

• Aplicación en sistemas de automatización industrial

• Eficaz en dispositivos electrónicos que necesitan un rendimiento robusto

¿Qué importancia tiene la baja calificación de Rds(on) en su rendimiento?


El bajo valor de Rds(on) reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante el funcionamiento. Permite mejorar el rendimiento térmico, que es fundamental en aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo afecta la tensión de drenaje-fuente máxima a la fiabilidad operativa?


La tensión nominal de drenaje-fuente de 100 V proporciona un importante margen de seguridad para las aplicaciones, garantizando un funcionamiento fiable en condiciones de tensión variable, evitando así averías.

¿Puede este MOSFET soportar entornos de alta temperatura?


Con una temperatura máxima de funcionamiento de 175 °C, está diseñado para funcionar de forma fiable en condiciones de alta temperatura, lo que lo hace adecuado para los entornos difíciles que se encuentran en las aplicaciones industriales y de automoción.

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