MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF540ZPBF, VDSS 100 V, ID 36 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 124-9001
- Nº ref. fabric.:
- IRF540ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
27,70 €
(exc. IVA)
33,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 1000 Envío desde el 05 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,554 € | 27,70 € |
| 100 - 200 | 0,446 € | 22,30 € |
| 250 - 450 | 0,435 € | 21,75 € |
| 500 - 1200 | 0,423 € | 21,15 € |
| 1250 + | 0,413 € | 20,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-9001
- Nº ref. fabric.:
- IRF540ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 92W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 92W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 36 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V - IRF540ZPBF
Este MOSFET está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Capaz de manejar una corriente de drenaje continua máxima de 36 A y una tensión de drenaje-fuente de 100 V, su encapsulado TO-220AB garantiza una disipación del calor y una estabilidad eficaces. Con una disipación de potencia máxima de 92 W, este dispositivo de canal N es especialmente adecuado para tareas exigentes en las industrias eléctrica y mecánica.
Características y ventajas
• Utiliza la tecnología HEXFET para mejorar la eficiencia
• La baja Rds(on) de 26,5mΩ minimiza la pérdida de potencia
• Las rápidas velocidades de conmutación mejoran la eficacia operativa
• Admite el modo de mejora para un rendimiento fiable
• Diseñado para soportar condiciones de avalancha repetitivas
Aplicaciones
• Se utiliza para el control del motor y la gestión de la energía
• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas y convertidores
• Adecuado para automóviles que requieren alta eficiencia
• Aplicación en sistemas de automatización industrial
• Eficaz en dispositivos electrónicos que necesitan un rendimiento robusto
¿Qué importancia tiene la baja calificación de Rds(on) en su rendimiento?
El bajo valor de Rds(on) reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante el funcionamiento. Permite mejorar el rendimiento térmico, que es fundamental en aplicaciones de alta corriente.
¿Cómo afecta la tensión de drenaje-fuente máxima a la fiabilidad operativa?
La tensión nominal de drenaje-fuente de 100 V proporciona un importante margen de seguridad para las aplicaciones, garantizando un funcionamiento fiable en condiciones de tensión variable, evitando así averías.
¿Puede este MOSFET soportar entornos de alta temperatura?
Con una temperatura máxima de funcionamiento de 175 °C, está diseñado para funcionar de forma fiable en condiciones de alta temperatura, lo que lo hace adecuado para los entornos difíciles que se encuentran en las aplicaciones industriales y de automoción.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 18 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 16 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 17.5 A, TO-220
- MOSFET Infineon ID 150 A, TO-220
- MOSFET Infineon IPAN60R180P7SXKSA1 ID 18 A PG-TO-220 de 3 pines
