MOSFET Infineon AIMW120R060M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 36 A, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 233-3488
Nº ref. fabric.:: AIMW120R060M1HXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon AIMW120R060M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 36 A, TO-247 de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (En un Tubo de 240)

21,124 €

(exc. IVA)

25,56 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
240 +	21,124 €	5.069,76 €

*precio indicativo

Código RS:: 233-3488
Nº ref. fabric.:: AIMW120R060M1HXKSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - AIMW120R060M1HXKSA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Los MOSFET CoolSiC de Infineon para la familia de automoción se han desarrollado para aplicaciones de cargador de placa y dc-dc actuales y futuras en vehículos híbridos y eléctricos. Tiene una corriente de drenaje de 36 A.

Mejora de la eficiencia
Permite una frecuencia más alta
Mayor densidad de potencia
Reducción del esfuerzo de refrigeración

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	CoolSiC
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,06 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Material del transistor	SiC
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon AIMW120R060M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 36 A, TO-247 de 3 pines

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