MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
222-4866
Nº ref. fabric.:
IMZ120R090M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

IMZ1

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolSiC de 1.200 V, 90 mΩ SiC en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas.

Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase

Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.

Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo

Amplio rango de tensión de fuente de puerta

Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura

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