MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
233-3490
Nº ref. fabric.:
AIMW120R080M1XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Tensión directa Vf

5.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

21.5 mm

Altura

5.3mm

Longitud

16.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET CoolSiC de Infineon para la familia de automoción se han desarrollado para aplicaciones de cargador de placa y dc-dc actuales y futuras en vehículos híbridos y eléctricos. Tiene una corriente de drenaje de 33 A.

Mejora de la eficiencia

Permite una frecuencia más alta

Mayor densidad de potencia

Reducción del esfuerzo de refrigeración

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