MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 52 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Subtotal (1 tubo de 240 unidades)*

4.153,20 €

(exc. IVA)

5.025,36 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 26 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
240 +17,305 €4.153,20 €

*precio indicativo

Código RS:
233-3486
Nº ref. fabric.:
AIMW120R035M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

CoolSiC

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

228W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión directa Vf

5.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.3mm

Anchura

21.5 mm

Longitud

16.3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET CoolSiC de Infineon para la familia de automoción se han desarrollado para aplicaciones de cargador de placa y dc-dc actuales y futuras en vehículos híbridos y eléctricos. Tiene una corriente de drenaje de 52 A.

Mejora de la eficiencia

Permite una frecuencia más alta

Mayor densidad de potencia

Reducción del esfuerzo de refrigeración

Enlaces relacionados