MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 52 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 233-3486
- Nº ref. fabric.:
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 233-3486
- Nº ref. fabric.:
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 228W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Tensión directa Vf | 5.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 16.3mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 228W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Tensión directa Vf 5.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 16.3mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET CoolSiC de Infineon para la familia de automoción se han desarrollado para aplicaciones de cargador de placa y dc-dc actuales y futuras en vehículos híbridos y eléctricos. Tiene una corriente de drenaje de 52 A.
Mejora de la eficiencia
Permite una frecuencia más alta
Mayor densidad de potencia
Reducción del esfuerzo de refrigeración
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