MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMW120R035M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 52 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
233-3487
Nº ref. fabric.:
AIMW120R035M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

5.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

228W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.3mm

Anchura

21.5 mm

Altura

5.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET CoolSiC de Infineon para la familia de automoción se han desarrollado para aplicaciones de cargador de placa y dc-dc actuales y futuras en vehículos híbridos y eléctricos. Tiene una corriente de drenaje de 52 A.

Mejora de la eficiencia

Permite una frecuencia más alta

Mayor densidad de potencia

Reducción del esfuerzo de refrigeración

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