MOSFET Infineon IMW120R045M1XKSA1, VDSS 1700 V, ID 52 A, TO-247 de 3 pines

El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1.200 V y 45 mΩ SiC en encapsulado TO247-3 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen los niveles más bajos de carga de puerta y capacitancia de dispositivo que se observan en interruptores de 1.200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y características de estado de conexión sin umbral. Los MOSFET CoolSiC™ son ideales para topologías de conmutación dura y resonante como circuitos de corrección de factor de potencia (PFC), topologías bidireccionales y convertidores dc-dc o inversores dc-ac.

Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura