MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMWH170R450M1XKSA1, VDSS 1700 V, ID 10 A, Mejora, PG-TO-247-3-STD-NN4,8 de 3 pines
- Código RS:
- 349-109
- Nº ref. fabric.:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-109
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- IMWH170R450M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 390mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 111W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Encapsulado PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 390mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 111W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este CoolSiC 1700 V SiC Trench de Infeneon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento diseñado para una conmutación de potencia eficiente. Es compatible con una tensión de fuente de puerta de 12 V/0 V, lo que lo hace adecuado para su uso con la mayoría de los controladores flyback. Con una tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,5 V, garantiza un rendimiento de conmutación fiable y eficiente en una amplia gama de aplicaciones de potencia. Este MOSFET es una elección excelente para sistemas que requieren un funcionamiento a alta tensión y una mayor eficiencia energética.
Pérdidas por conmutación muy bajas
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Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
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