IGBT, IKWH50N65EH7XKSA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO247-3-STD-NN4.8, 3-Pines 1

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Código RS:
285-011
Nº ref. fabric.:
IKWH50N65EH7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

249 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3-STD-NN4.8

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El IGBT de Infineon es un sofisticado IGBT de alta velocidad diseñado para ofrecer un rendimiento impresionante en aplicaciones exigentes. Este dispositivo de 650 V, que utiliza una avanzada tecnología de tope de zanja, ofrece pérdidas de conmutación significativamente reducidas y una tensión de saturación de emisor de colector ultrabaja. Su robusto diseño garantiza una fiabilidad excepcional, lo que lo convierte en la opción ideal para sistemas energéticamente eficientes, como SAI industriales y soluciones de carga de vehículos eléctricos. Con unas excelentes características de gestión térmica y el cumplimiento de las estrictas normas JEDEC, este dispositivo destaca por su versatilidad y durabilidad en diversas aplicaciones.

Las bajas pérdidas por conmutación mejoran la eficiencia
Resistencia a la humedad para un funcionamiento fiable
Optimizado para topologías de dos y tres niveles
El diodo de recuperación suave y rápida mejora el rendimiento
Fiabilidad validada según normas industriales
Amplia gama de productos y modelos PSpice
Alta corriente de colector para aplicaciones exigentes

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