MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMWH170R650M1XKSA1, VDSS 1700 V, ID 7.5 A, Mejora, PG-TO-247-3-STD-NN4,8 de 3 pines
- Código RS:
- 349-110
- Nº ref. fabric.:
- IMWH170R650M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
13,51 €
(exc. IVA)
16,348 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 230 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,755 € | 13,51 € |
| 20 - 198 | 6,08 € | 12,16 € |
| 200 + | 5,605 € | 11,21 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-110
- Nº ref. fabric.:
- IMWH170R650M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 580mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 580mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este CoolSiC 1700 V SiC Trench de Infeneon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento diseñado para una conmutación de potencia eficiente. Es compatible con una tensión de fuente de puerta de 12 V/0 V, lo que lo hace adecuado para su uso con la mayoría de los controladores flyback. Con una tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,5 V, garantiza un rendimiento de conmutación fiable y eficiente en una amplia gama de aplicaciones de potencia. Este MOSFET es una elección excelente para sistemas que requieren un funcionamiento a alta tensión y una mayor eficiencia energética.
Pérdidas por conmutación muy bajas
Dv/dt totalmente controlable para optimización de EMI
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría