MOSFET Infineon IMZ120R030M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 56 A, TO-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 222-4862
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
465 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 30)
14,396 €
(exc. IVA)
17,419 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 14,396 € | 431,88 € |
| 60 + | 13,676 € | 410,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4862
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1200 V y 30 mΩ SiC en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas.
Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 56 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-4 |
| Serie | IMZ1 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 30 m.Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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