MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZ120R030M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 222-4863
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4863
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | IMZ1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie IMZ1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1200 V y 30 mΩ SiC en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas.
Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
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