MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 160 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 124-9003
Nº ref. fabric.:: IRFB3306PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 160 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 124-9003
Nº ref. fabric.:: IRFB3306PBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	160A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	85nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	230W
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	9.02mm
	Longitud	10.66mm
	Anchura	4.82 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 160A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 230W
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 9.02mm
	Longitud 10.66mm
	Anchura 4.82 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: PH

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