MOSFET, N-Canal IXYS IXFN200N10P, VDSS 100 V, ID 200 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
125-8040
Nº ref. fabric.:
IXFN200N10P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-227

Serie

Polar HiPerFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

235nC

Disipación de potencia máxima Pd

680W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

25.07mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

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