MOSFET IXYS IXFN200N10P, VDSS 100 V, ID 200 A, SOT-227 de 4 pines

Código RS:: 168-4576
Nº ref. fabric.:: IXFN200N10P
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFN200N10P, VDSS 100 V, ID 200 A, SOT-227 de 4 pines

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Precio unitario (En un Tubo de 10)

26,492 €

(exc. IVA)

32,055 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
10 +	26,492 €	264,92 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-4576
Nº ref. fabric.:: IXFN200N10P
Fabricante:: IXYS

IXFN 200N10P, Polar HiPerFET Power MOSFET 100V 200A SOT-227B
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	200 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-227
Serie	Polar HiPerFET
Tipo de Montaje	Montaje roscado
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	680 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	235 nC a 10 V
Ancho	25.07mm
Longitud	38.23mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	9.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.5V

MOSFET IXYS IXFN200N10P, VDSS 100 V, ID 200 A, SOT-227 de 4 pines

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™