MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 200 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
168-4576
Nº ref. fabric.:
IXFN200N10P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

Polar HiPerFET

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

680W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

235nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.6mm

Longitud

38.23mm

Anchura

25.07 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

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