MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 178 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
168-4584
Nº ref. fabric.:
IXTN200N10L2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

178A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-227

Serie

Linear L2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

830W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

540nC

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Anchura

25.07 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear


MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.

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