MOSFET IXYS IXTN200N10L2, VDSS 100 V, ID 178 A, SOT-227 de 4 pines

Código RS:: 168-4584
Nº ref. fabric.:: IXTN200N10L2
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXTN200N10L2, VDSS 100 V, ID 178 A, SOT-227 de 4 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 04/06/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 10)

47,878 €

(exc. IVA)

57,932 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
10 +	47,878 €	478,78 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-4584
Nº ref. fabric.:: IXTN200N10L2
Fabricante:: IXYS

IXTN200N10L2, Linear L2 Power MOSFET with Extended FBSOA 100V
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	178 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	Linear L2
Tipo de Encapsulado	SOT-227
Tipo de Montaje	Montaje roscado
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	11 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	830 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	25.07mm
Longitud	38.23mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	540 nC a 10 V
Altura	9.6mm
Tensión de diodo directa	1.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXTN200N10L2, VDSS 100 V, ID 178 A, SOT-227 de 4 pines

MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear