MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 420 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 10 unidades)*

241,30 €

(exc. IVA)

292,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 10 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 70 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
10 +24,13 €241,30 €

*precio indicativo

Código RS:
168-4579
Nº ref. fabric.:
IXFN420N10T
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

420A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-227

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

670nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.07kW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

25.07 mm

Longitud

38.23mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™


Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados