MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 420 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
168-4579
Nº ref. fabric.:
IXFN420N10T
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

420A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-227

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

670nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.07kW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

25.07 mm

Altura

9.6mm

Longitud

38.23mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™


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