MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SCT2H12NZGC11, VDSS 1700 V, ID 3.7 A, Mejora, TO-3PFM de 3 pines

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Código RS:
133-2860
Nº ref. fabric.:
SCT2H12NZGC11
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1700V

Serie

SCT2H12NZ

Encapsulado

TO-3PFM

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Tensión directa Vf

4.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

21mm

Longitud

16mm

Certificaciones y estándares

Pb-free lead plating, RoHS

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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