MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5H020SPTL, VDSS 45 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines

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Código RS:
133-3302
Nº ref. fabric.:
RQ5H020SPTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

45V

Serie

RQ5H020SP

Encapsulado

TSMT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.8 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.95mm

Longitud

3mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal P, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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