MOSFET, N-Canal DiodesZetex DMT10H010LK3-13, VDSS 100 V, ID 68.8 A, Mejora, TO-252 de 4 pines
- Código RS:
- 133-3314
- Nº ref. fabric.:
- DMT10H010LK3-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,39 €
(exc. IVA)
8,94 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 05 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | 0,739 € | 7,39 € |
| 250 + | 0,633 € | 6,33 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 133-3314
- Nº ref. fabric.:
- DMT10H010LK3-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | DMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.29mm | |
| Longitud | 6.58mm | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie DMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.29mm | ||
Longitud 6.58mm | ||
Anchura 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 4 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines