MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT10H010LK3-13, VDSS 100 V, ID 68.8 A, Mejora, TO-252 de 4 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

7,39 €

(exc. IVA)

8,94 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 12 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 2400,739 €7,39 €
250 +0,633 €6,33 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
133-3314
Nº ref. fabric.:
DMT10H010LK3-13
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

68.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

DMT

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.58mm

Altura

2.29mm

Anchura

6.1 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


Enlaces relacionados