MOSFET Infineon IPA60R190E6XKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-220 FP
Serie	CoolMOS E6
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	440 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	34 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	63 nC a 10 V
Longitud	10.65mm
Ancho	4.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	16.15mm
Tensión de diodo directa	0.9V

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