MOSFET Infineon AUIRF7316QTR, VDSS 30 V, ID 4,9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-9565
Nº ref. fabric.:: AUIRF7316QTR
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon AUIRF7316QTR, VDSS 30 V, ID 4,9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 145-9565
Nº ref. fabric.:: AUIRF7316QTR
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	90 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	5mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	23 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1V
Altura	1.5mm