MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLR7843TRPBF, VDSS 30 V, ID 161 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
830-3382
Número de artículo Distrelec:
304-37-849
Nº ref. fabric.:
IRLR7843TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

161A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22 mm

Altura

2.39mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 161 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRLR7843TRPBF


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores eléctrico y electrónico, especialmente adecuado para las necesidades de la automoción y la industria. Su tecnología HEXFET garantiza una eficiencia y fiabilidad impresionantes, por lo que es ideal para convertidores buck síncronos de alta frecuencia y convertidores CC-CC aislados. El dispositivo gestiona eficazmente la disipación de energía, mejorando el rendimiento de los sistemas electrónicos.

Características y ventajas


• El RDS(on) extremadamente bajo optimiza la pérdida de potencia y la eficiencia

• La elevada corriente de drenaje continua admite aplicaciones intensivas

• Diseñado para altas temperaturas de funcionamiento para garantizar el rendimiento

• La construcción sin plomo cumple las normas de diseño respetuoso con el medio ambiente

• Una carga de puerta baja mejora el comportamiento de conmutación en los circuitos

Aplicaciones


• Utilizado en convertidores buck síncronos de alta frecuencia

• Utilizados en convertidores CC-CC aislados para sistemas de telecomunicaciones

• Sirve a los sistemas de gestión de energía de automoción

• Adecuado para fuentes de alimentación industriales que requieren una mayor eficiencia

• Ideal para la regulación de potencia en procesadores informáticos

¿Cuáles son las características típicas de rendimiento térmico?


La temperatura máxima de funcionamiento es de +175°C, con una resistencia térmica de 50°C/W de la unión al ambiente, lo que garantiza un rendimiento eficaz en entornos térmicos.

¿Cómo afecta la baja RDS(on) al diseño general del circuito?


Un RDS(on) bajo reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia en condiciones de carga variables, algo crucial para los diseños de alto rendimiento.

¿Puede gestionar eficazmente las corrientes de impulsos?


Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 620 A, lo que garantiza la fiabilidad operativa bajo cargas dinámicas.

¿Qué métodos de montaje son compatibles con este componente?


Como componente de montaje superficial en encapsulado DPAK, es adecuado para procesos de montaje automatizados.

¿Es adecuado para su uso en aplicaciones de automoción?


Sí, sus especificaciones, incluida una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, lo hacen adecuado para sistemas de alimentación de automóviles.

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