MOSFET Infineon IRLR7843TRPBF, VDSS 30 V, ID 161 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 830-3382
Nº ref. fabric.:: IRLR7843TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLR7843TRPBF, VDSS 30 V, ID 161 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 830-3382
Nº ref. fabric.:: IRLR7843TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 161 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRLR7843TRPBF

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores eléctrico y electrónico, especialmente adecuado para las necesidades de la automoción y la industria. Su tecnología HEXFET garantiza una eficiencia y fiabilidad impresionantes, por lo que es ideal para convertidores buck síncronos de alta frecuencia y convertidores CC-CC aislados. El dispositivo gestiona eficazmente la disipación de energía, mejorando el rendimiento de los sistemas electrónicos.

Características y ventajas

• El RDS(on) extremadamente bajo optimiza la pérdida de potencia y la eficiencia
• La elevada corriente de drenaje continua admite aplicaciones intensivas
• Diseñado para altas temperaturas de funcionamiento para garantizar el rendimiento
• La construcción sin plomo cumple las normas de diseño respetuoso con el medio ambiente
• Una carga de puerta baja mejora el comportamiento de conmutación en los circuitos

Aplicaciones

• Utilizado en convertidores buck síncronos de alta frecuencia
• Utilizados en convertidores CC-CC aislados para sistemas de telecomunicaciones
• Sirve a los sistemas de gestión de energía de automoción
• Adecuado para fuentes de alimentación industriales que requieren una mayor eficiencia
• Ideal para la regulación de potencia en procesadores informáticos

¿Cuáles son las características típicas de rendimiento térmico?

La temperatura máxima de funcionamiento es de +175°C, con una resistencia térmica de 50°C/W de la unión al ambiente, lo que garantiza un rendimiento eficaz en entornos térmicos.

¿Cómo afecta la baja RDS(on) al diseño general del circuito?

Un RDS(on) bajo reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia en condiciones de carga variables, algo crucial para los diseños de alto rendimiento.

¿Puede gestionar eficazmente las corrientes de impulsos?

Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 620 A, lo que garantiza la fiabilidad operativa bajo cargas dinámicas.

¿Qué métodos de montaje son compatibles con este componente?

Como componente de montaje superficial en encapsulado DPAK, es adecuado para procesos de montaje automatizados.

¿Es adecuado para su uso en aplicaciones de automoción?

Sí, sus especificaciones, incluida una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, lo hacen adecuado para sistemas de alimentación de automóviles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	161 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.4V
Disipación de Potencia Máxima	140 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	34 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	6.22mm
Tensión de diodo directa	1V
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C