MOSFET de potencia, N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
146-1746
Nº ref. fabric.:
IXFP14N60P3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

600 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

14 A

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

TO-220

Número de pines

3

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.4 V

Altura

16 mm

Longitud

10.66 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

540 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30 V, +30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

327 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Orificio pasante

Serie

Polar3

Certificaciones y estándares

International Standard Packages

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

25 nC

Anchura

4.83 mm

COO (País de Origen):
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

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