MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
920-0717
Nº ref. fabric.:
IXTP50N20P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

360W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.66mm

Altura

9.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

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