MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
168-4500
Nº ref. fabric.:
IXFP12N50P
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

HiperFET, Polar

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

500mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.66mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.15mm

Anchura

4.83 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™


MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados