MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFT60N65X2HV, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-268 de 3 pines

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Código RS:
146-4235
Nº ref. fabric.:
IXFT60N65X2HV
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

HiperFET

Encapsulado

TO-268

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

780W

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.1mm

Longitud

16.05mm

Anchura

15.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

RDS (ON) y Qg bajas

Diodo de cuerpo rápido

Resistencia a dv/dt

Avalancha nominal

Baja inductancia de encapsulado

Encapsulados estándar internacionales

Fuentes de alimentación de modo resonante

Reactancia de lámpara de descarga de alta intensidad (HID)

Controladores de motor de ac y dc

Convertidores dc-dc

Robótica y control de servo

Cargadores de batería

Inversores solares de 3 niveles

Iluminación de LED

Vehículos aéreos no tripulados (UAV)

Mayor eficiencia

Alta densidad de potencia

Fácil de montar

Ahorro de espacio

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