Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-268 de 3 pines

Código RS:: 146-4378
Número de artículo Distrelec:: 302-53-402
Nº ref. fabric.:: IXFT60N65X2HV
Fabricante:: IXYS

MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-268 de 3 pines

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Código RS:: 146-4378
Número de artículo Distrelec:: 302-53-402
Nº ref. fabric.:: IXFT60N65X2HV
Fabricante:: IXYS

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	IXYS
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	60A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-268
	Serie	HiperFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	52mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	780W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	108nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Tensión directa Vf	1.4V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	15.15 mm
	Altura	5.1mm
	Longitud	16.05mm
	Estándar de automoción	No
	Distrelec Product Id	30253402

	Seleccionar todo
	Marca IXYS
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 60A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-268
	Serie HiperFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 780W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Tensión directa Vf 1.4V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 15.15 mm
	Altura 5.1mm
	Longitud 16.05mm
	Estándar de automoción No
	Distrelec Product Id 30253402

RDS (ON) y Qg bajas

Diodo de cuerpo rápido

Resistencia a dv/dt

Avalancha nominal

Baja inductancia de encapsulado

Encapsulados estándar internacionales

Fuentes de alimentación de modo resonante

Reactancia de lámpara de descarga de alta intensidad (HID)

Controladores de motor de ac y dc

Convertidores dc-dc

Robótica y control de servo

Cargadores de batería

Inversores solares de 3 niveles

Iluminación de LED

Vehículos aéreos no tripulados (UAV)

Mayor eficiencia

Alta densidad de potencia

Fácil de montar

Ahorro de espacio

MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-268 de 3 pines

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