MOSFET IXYS IXFT18N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, TO-268 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
801-1461
Nº ref. fabric.:
IXFT18N100Q3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1.000 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Tipo de Encapsulado

TO-268

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

660 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

6.5V

Disipación de Potencia Máxima

830 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

90 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

14mm

Longitud

16.05mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

5.1mm

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3


Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco

Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)

Baja resistencia de compuerta intrínseca

Encapsulados estándar del sector

Baja inductancia de encapsulado

Alta densidad de potencia

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