MOSFET IXYS IXFT18N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, TO-268 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 801-1461
- Nº ref. fabric.:
- IXFT18N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 801-1461
- Nº ref. fabric.:
- IXFT18N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 18 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.000 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-268 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 660 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 6.5V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 830 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 90 nC a 10 V | |
| Longitud | 16.05mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 14mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 18 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 1.000 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-268 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 660 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 6.5V | ||
Disipación de Potencia Máxima 830 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 90 nC a 10 V | ||
Longitud 16.05mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 14mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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