MOSFET IXYS IXFT18N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, TO-268 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 801-1461
Nº ref. fabric.:: IXFT18N100Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFT18N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, TO-268 de 3 pines, , config. Simple

Precio Unidad

20,08 €

(exc. IVA)

24,30 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	20,08 €
5 - 9	18,05 €
10 - 24	17,31 €
25 +	16,03 €

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Código RS:: 801-1461
Nº ref. fabric.:: IXFT18N100Q3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	TO-268
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	660 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	830 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	16.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	90 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	14mm
Altura	5.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C