MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2N100CP ROG, VDSS 1.000 V, ID 1,85 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
171-3619
Nº ref. fabric.:
TSM2N100CP ROG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1,85 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1.000 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

77 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

6.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17 nC a 10 V

Longitud

6.6mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Altura

2.3mm

Tensión de diodo directa

1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

El Taiwan Semiconductor 1000V, 1. 85A, 8. MOSFET de potencia de canal N de 3 contactos y 5Ω con configuración de transistor único y modo de canal de mejora. Se utiliza generalmente en iluminación de LED ac/dc, fuentes de alimentación y medidores de potencia.

100 % a prueba de avalancha
Proceso plano Advanced
Conforme a la directiva RoHS 2011/65/UE y conforme a WEEE 2002/96/CE
Sin halógenos conforme a IEC 61249-2-21
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 77W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 3,5V V y 5,5V V.

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