MOSFET Taiwan Semiconductor TSM70N600CP ROG, VDSS 700 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
171-3655
Nº ref. fabric.:
TSM70N600CP ROG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

83 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

6.1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12,6 nC a 10 V

Longitud

6.6mm

Tensión de diodo directa

1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.3mm

El Taiwan Semiconductor 800V, 7A, 0. MOSFET de potencia de canal N de 3 contactos y 6Ω con configuración de transistor único y modo de canal de mejora. Se utiliza generalmente en fuentes de alimentación y aplicaciones de iluminación.

Tecnología Super-Junction
Alto rendimiento gracias a la pequeña figura de mérito
Alta resistencia
Alta conmutación
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 83W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2V V y 4V V.

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