MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, TO-263 de 8 pines
- Código RS:
- 150-3947
- Nº ref. fabric.:
- C3M0120100J
- Fabricante:
- Wolfspeed
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | 11,822 € | 591,10 € |
| 150 - 200 | 11,361 € | 568,05 € |
| 250 + | 11,089 € | 554,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 150-3947
- Nº ref. fabric.:
- C3M0120100J
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | C3M | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 4.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.23mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.32mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie C3M | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 4.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.23mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.32mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Wolfspeed presenta su último avance en tecnología de dispositivos de potencia SiC con el único MOSFET de SiC de 1 kV del sector en un nuevo encapsulado optimizado, adecuado para dispositivos de conmutación rápida. Optimizado para sistemas de carga de vehículos eléctricos y fuentes de alimentación industriales trifásicas, el nuevo dispositivo de 1 kV aborda muchos de los desafíos de diseño de alimentación proporcionando un dispositivo único, con baja resistencia de encendido, muy baja capacitancia de salida y baja inductancia de fuente para una combinación perfecta de baja pérdida de conmutación y baja pérdida de conducción.
1 kV VBR mínimo en todo el rango de temperaturas de funcionamiento
Encapsulado de baja inductancia de fuente con contacto de fuente de controlador independiente
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)
Fácil de usar en paralelo y de accionar
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