MOSFET Wolfspeed C3M0075120J, VDSS 1.200 V, ID 30 A, TO-263-7 de 7 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 192-3373
- Nº ref. fabric.:
- C3M0075120J
- Fabricante:
- Wolfspeed
89 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 50)
14,778 €
(exc. IVA)
17,881 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 14,778 € | 738,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 192-3373
- Nº ref. fabric.:
- C3M0075120J
- Fabricante:
- Wolfspeed
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Wolfspeed extiende su liderazgo en tecnología SiC al introducir Advanced SiC MOSFET en el nuevo encapsulado discreto de baja inductancia. Los paquetes recién lanzados permiten a los ingenieros aprovechar al máximo la capacidad de alta frecuencia de los últimos chips C3MTM planos MOSFET. Los diseñadores pueden reducir el recuento de componentes pasando de topologías basadas en silicio de tres niveles a topologías de dos niveles más sencillas posibles gracias al rendimiento de conmutación mejorado. Este dispositivo presenta una baja resistencia en combinación con una carga de puerta baja, lo que lo convierte en ideal para topologías PFC trifásicas sin puente, así como convertidores y cargadores de CA-CA.
Mínimo de 1200V Vbr en todo el rango de temperatura de funcionamiento
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
>7mm de distancia entre el drenaje y la fuente
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)
Fácil de usar en paralelo y de accionar
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
>7mm de distancia entre el drenaje y la fuente
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)
Fácil de usar en paralelo y de accionar
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-263-7 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 7 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 75 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.6V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.8V |
| Disipación de Potencia Máxima | 113,6 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -8 V, 19 V. |
| Longitud | 10.23mm |
| Material del transistor | SiC |
| Ancho | 9.12mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 48 NC a 4/15V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 4.57mm |
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