MOSFET Nexperia PMDXB600UNEZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, DFN1010B-6 de 8 pines, 2elementos

MOSFET de canal N ≤ 20 V. Las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N individuales o dobles de hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.

MOSFET de zanja de canal N doble, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010B-6 (SOT1216) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 1 kV HBM
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 470 mΩ