MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 260 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 153-0730
- Nº ref. fabric.:
- NX7002BKXBZ
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 153-0730
- Nº ref. fabric.:
- NX7002BKXBZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de trinchera | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 260mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.7Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4032mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.36mm | |
| Longitud | 1.15mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de trinchera | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 260mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.7Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4032mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.36mm | ||
Longitud 1.15mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N de 40 V - 60 V, MOSFET de nivel de lógica y estándar. Pruebe nuestros MOSFET robustos y fáciles de usar de la gama 40 V a 60 V, parte de nuestra extensa gama de dispositivos MOSFET. Son perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y proporcionan un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase
MOSFET Trench de canal N doble, 60 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010B-6 (SOT1216) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET
Compatibles con nivel lógico
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
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